一、核心逻辑：产能大规模扩张，直接利好设备商
高盛看多SPE的最核心依据是中国DRAM产能的确定性扩张。
规模与时间表：中国DRAM领导厂商的产能到2030年将较当前水平翻倍以上。具体来看，合肥、上海、北京的现有或新建设施预计在2028年全面投产。此外，2028年之后还将有一个巨型工厂开始贡献产能。这意味着未来几年中国DRAM产业将维持极高的资本开支强度。国产化率提升：这些新产能不仅使用全球顶级的半导体设备，还大量采用国产设备。特别是除光刻机以外的核心设备，部分工厂甚至主要依赖国产设备。这直接构成了“买入中国SPE”的投资逻辑——中国设备商（如北方华创、中微公司等）将直接受益于本土存储厂的大规模资本开支。
二、产品进展：技术追赶创造高附加值需求
高盛认为，中国DRAM厂商的产品迭代并非停滞，而是在管制环境下寻找突破路径，这反过来对设备工艺提出了更高要求。HBM突破：国内龙头厂商在2026年的目标是实现HBM3及HBM3E的量产。高端存储芯片（HBM）的制造需要大量先进刻蚀、薄膜沉积等工艺，这对国产设备商的技术能力提出了挑战，也创造了巨大的单机价值量提升机会。
技术路线创新：由于缺乏EUV（极紫外光刻）设备，中国厂商必须使用DUV（深紫外光刻）多重曝光或其他创新制造工艺（如3D DRAM）来开发高端产品。专家预计，3D DRAM在2027年有望在产品开发上取得新的进展。这种“弯道超车”迫使厂商采用更复杂的工艺，间接增加了对刻蚀设备、沉积设备的需求量（例如，多层堆叠需要极高深宽比的刻蚀）
三、价格趋势：盈利环境保障持续投入能力
高盛对价格趋势的判断较为乐观，认为健康的定价环境支撑了前两者的资本开支。定价能力：尽管中国本地DRAM的良率可能低于全球大厂，但其产品定价与全球大厂处于同一水平。这意味着在扩产过程中，厂商具备较强的盈利能力和现金流，为昂贵的设备采购提供了资金保障。
短期与长期展望：
2026年下半年：手机品牌商对成本上涨存在抵触，因此价格涨幅将较上半年有所放缓。2027年：中国及海外市场的AI需求依然强劲，专家预计AI需求将支撑2027年存储价格继续上涨。市场结构利好：鉴于AI需求强劲，专家不认为全球大厂会将在短期内将HBM产能转回传统DRAM。这导致传统DRAM市场的供给端持续紧张，有利于价格稳定，从而保障了中国厂商的扩产利润率。
四、投资建议与重点关注标的（不作为推荐）
基于上述三大趋势，高盛重申了对中国半导体设备厂商的积极看法，并给出了具体的建议：北方华创：国内半导体设备平台型龙头，全面受益于刻蚀、薄膜、清洗等环节需求。中微公司 ：等离子体刻蚀和MOCVD设备龙头，在先进存储（如3D NAND和DRAM的高深宽比刻蚀）中至关重要。珂玛科技：报告作为“Buy”标的提出，推测其在上游核心零部件或材料领域有独特优势。
五、总结与风险提示
总结：高盛构建了一个投资闭环：AI需求强劲 → 存储价格稳定/上涨（保障利润）→ 中国存储厂大规模扩产（资本开支）→ 设备国产化率提升（设备商订单增长）。这也是高盛在报告中不断提及并押注中国SPE板块的核心原因。
尽管报告基调乐观，但提及了一些潜在风险：
技术管制风险：EUV设备的限制迫使其采用复杂且成本更高的DUV及创新工艺（如3D DRAM），技术路径的成熟度仍是未知数。良率风险：良率可能更低，意味着产能扩张的实际有效产出可能不及预期，进而影响设备采购的持续性。需求端结构风险：传统消费电子（手机）对价格敏感，若AI需求不及预期，价格支撑可能减弱。仅做资料整理，不做行业及个股推荐。
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