六氟化钨
1. 半导体CVD钨沉积（最主要）
◦ 用于逻辑芯片、DRAM、3D NAND，在晶圆上沉积钨膜，填充接触孔/通孔，做低阻互连线
◦ 先进制程（7nm及以下）、3D NAND（200+层）不可替代
2. 化工：强氟化剂，有机合成引入氟原子
3. 材料：制备高纯钨粉、钨合金、耐磨耐腐蚀钨涂层；
半导体地位
• 全球半导体关键电子特气，日本曾长期主导（关东电化、中央硝子），近年国产替代加速
• 先进芯片制造刚需，无低成本替代品
日本断供六氟化钨（WF₆）背景下，国内已形成一超四强替代格局，核心公司按产能与技术壁垒排序如下：
🏆 绝对龙头：中船特气（688146）
• 产能：2230吨/年（全球第一，占国内60%、全球30%+）
• 技术：全球唯一7N级WF₆供应商，覆盖5N-6N全等级，适配先进制程
• 客户：台积电、美光、英飞凌、中芯国际、长江存储等全球顶级晶圆厂，国内存储厂采购占比超六成
• 壁垒：央企背景，最早实现6N级规模化量产，已通过境外先进制程认证
• 替代能力：日本关东电化(1400吨)+中央硝子(800吨)合计2200吨产能缺口，中船特气可完全填补
🥈 第二梯队：昊华科技（600378）
• 产能：600-700吨/年（国内第二）
• 技术：旗下昊华气体为国家特种气体研究基地，产品稳定，纯度达6N级
• 客户：已打入三星、台积电供应链，是晶圆厂稳定供应商
• 替代能力：可承接成熟制程与部分先进制程订单，与中船特气形成互补
🥉 第三梯队：中巨芯（688549）
• 产能：600吨/年
• 技术：6N级产品稳定量产，采用打包销售模式，配套电子特气解决方案
• 客户：国内主流晶圆厂，覆盖成熟制程与部分先进制程
• 替代能力：专注国内市场，具备快速扩产潜力，可分担部分替代需求
⚡ 新锐力量：和远气体（002971）
• 产能：宜昌产业园500吨/年，2026年4月完成试生产，正进行客户认证
• 技术：高纯工艺已突破，产品纯度达6N级
• 客户：认证中，即将进入国内主流晶圆厂供应链
• 替代能力：新增产能将快速释放，补充国内供给缺口
🛡️ 高端技术标杆：南大光电（300346）
• 产能：500吨/年，其中70%为6N高端产品
• 技术：国家02专项成果转化企业，对标日本关东电化，7N级产品突破并通过ASML认证
• 客户：中芯国际、华虹宏力、长江存储核心供应商
• 替代能力：专注先进制程，是高端替代的关键力量
补充信息
• 上游保障：厦门钨业（600549）为国内钨行业龙头，提供从矿山开采、冶炼到深加工的全产业链支持，保障WF₆原料供应
• 国产化率：目前国内WF₆国产化率已超65%，日本断供将加速提升至80%+
• 技术等级：6N级（99.9999%）为先进制程刚需，7N级为未来趋势，中船特气、南大光电已布局
核心结论
• 唯一可完全替代日本产能：中船特气（2230吨/年）
• 成熟制程主力：昊华科技、中巨芯
• 先进制程先锋：南大光电、中船特气
• 新增产能补充：和远气体（即将量产）
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