6月9日谷歌订单催化时新雷能直接20CM。后被论文谣言干扰下跌较多，后谣言路线被证伪，7月6日盘后英伟达正式辟谣谣言，一切进展顺利。现谷歌重要订单大会催化又在即（下周一）。
谷歌向英特尔下达超300万颗TPU订单，标志着AI算力军备竞赛进入新阶段，也彻底引爆了整机柜算力电源的增量需求。新雷能凭借在800V高压架构和VPD（垂直供电）上的前瞻卡位，正迎来从“传统特种电源”向“全球AI算力电源核心供应商”跨越的历史性机遇。当前公司约200亿的市值仅计入了二次电源的放量预期，随着核心高压产品向海外头部客户送样，公司正处于业绩与估值双击的爆发节点。
产业趋势的边际突变：谷歌直采打破台系垄断，800V与VPD成为胜负手
当前算力电源赛道正在发生两个深刻的结构性变化。首先是需求端与供应链的重塑。预计谷歌2026至2028年TPU需求将分别达到350万、1200万、3000万片。面对庞大的需求，谷歌采用“直采+强管控”模式，打破了传统台系ODM的垄断，为国内电源厂商提供了直接对接终端的机会。近期台系龙头接连暴露产品可靠性与技术迭代滞后问题，进一步加速了国产电源企业抢占下游大厂供应链席位的进程。
其次是技术路线的更迭。英伟达Rubin架构和谷歌均明确将导入VPD和800V高压直流架构，预计2026年三季度开始小批量发货。新雷能的800V转50V高压模块进度与国际龙头台达同步，且在VPD领域与模拟芯片巨头ADI深度绑定，技术实力已处于全球第一梯队。
产能爬坡与业绩弹性：从200亿向500亿市值跨越的量化逻辑
公司基本面已探明底部并进入加速上行通道。2026年一季度公司营收达3.24亿元，同比增长38.8%。当前估值的核心支撑与向上弹性主要来自以下三个维度的推演：
二次电源筑牢基本盘：公司二次电源产能正处于加速爬坡期，预计今年7月将从前期的20-23万只/月提升至30万只/月。随着产能释放，预计2027年二次电源将贡献约25亿元收入和4-5亿元利润，叠加传统主业，足以支撑当前约200亿元的市值安全垫。
一次电源（800V）打开翻倍空间：真正的爆发力在于适配下一代架构的800V高压模块。若该产品顺利切入谷歌供应链，后续有望带来50-100亿元的潜在订单和10-20亿元的利润增量，对应300-500亿元的增量市值空间。
三次电源（VPD）提供远期期权：VPD作为终局市场规模可达500亿左右的确定性趋势，公司相关产品已在国内客户推广并布局海外，为未来提供了极大的估值上修期权。
高研发投入压制表观利润，产能释放将带来巨大业绩弹性。
公司当前的表观利润仍处于亏损状态，核心原因在于极高的研发投入。2025年公司研发费用高达4.0亿元，研发费用率达到33.9%。但这种前置性的技术投入已经转化为AI电源领域的核心壁垒。随着高毛利的AI算力电源产能逐步释放，规模效应将大幅摊薄各项费用。市场普遍预期公司将在2026年实现扭亏为盈，2027年归母净利润有望达到2.9亿元至3.8亿元区间。当前公司约167.7亿元的市值已经部分计入了AI电源放量的乐观预期，其估值锚正在从传统的特种电源（对应约60-80亿元市值）向“特种+AI算力”双轮驱动切换。
VPD是国产算力绕不开的卡脖子环节
VPD（Vertical Power Delivery，垂直供电技术）不仅是国产算力绕不开的“卡脖子”环节，更是决定国产大算力芯片能否从“实验室点亮”走向“数据中心规模化部署”的绝对生死线。当前市场对国产算力的认知仍高度停留在GPU单卡算力（TOPS/TFLOPS）和先进制程良率的表层博弈上，而严重忽视了“供电与互联”这一决定系统级工程成败的隐性底层约束。
VPD（Vertical Power Delivery，垂直供电技术）不仅是全球AI算力突破物理极限的关键技术，更是决定国产大算力芯片能否通过“超节点”架构从“实验室点亮”走向“数据中心规模化部署”的绝对生死线。当前市场对国产算力的认知仍高度停留在GPU单卡算力与先进制程的表层博弈上，而严重忽视了“供电与互联”这一决定系统级工程成败的隐性底层约束。
投资国产算力的核心逻辑正在发生深刻的边际变化：赚取的不再是单纯“国产替代”的情绪溢价，而是“系统级工程架构重塑”带来的核心零部件价值跃升的钱。在先进制程受限的宏观背景下，国产算力必然走向“超节点”与万卡集群的架构，这使得系统整体功耗呈指数级膨胀，对VPD垂直供电技术的迫切性远超海外竞品。建议重点围绕VPD架构带来的四大增量环节进行深度布局：掌握供电咽喉的高端电源管理芯片与VPD模块、承载垂直大电流的特种连接器与CPU Socket、核心磁性元器件、以及伴生的高热密度液冷散热底座。
产业本质透视：VPD为何是国产算力超节点落地的“绝对生死线”
物理学视角的底层约束：IR Drop（电压降）与传统Power Block的全面失效
算力的尽头是电力。随着AI芯片算力密度的狂飙，核心工作电压已逐步降至1V以下，而整体功耗（TDP）却在不断突破天花板。随着GPU和ASIC功耗与制程的提升，三次电源（12V转1V）将面临大于3000A的高电流和小于0.7V的低电压挑战，这对减少供电损耗与应对负载波动提出了极高要求。
在传统的横向供电（Power Block）架构中，电源模块布置在芯片侧面，电流需要经过漫长的PCB走线到达芯片Die。在3000安培级别的极端电流冲击下，哪怕是微欧级的路径电阻，也会产生致命的电压降（IR Drop）和巨大的废热（I²R损耗）。当供电网络的损耗吞噬了大量有效电能时，传统横向供电已触及物理极限，不仅导致逻辑门翻转错误，更会引发严重的热击穿风险。
VPD的破局逻辑：从Z轴折叠供电路径，重构能源传输网络
VPD技术的核心思想是“空间换效率”。相较于传统的Power Block，VPD将VRM（稳压器模块）、电容等高度集成，直接转移并布置在芯片背面的极小空间中。这种架构通过缩短电流路径来优化电源分配网络，使得电阻降低约10倍（小于10µΩ），并且具备极强的瞬时响应能力，大幅提升了能效与稳定性。
此外，VPD技术彻底释放了宝贵的PCB表面面积，为晶体管密度的进一步提升留下了充足的空间，方便构建更高性能的AI芯片。在更宏大的晶圆级系统（SoW）中，VPD结合背面供电网络（BSPDN）和集成电压调节器（IVR），能够有效应对千瓦级别的极端功耗需求。
国产算力的特殊国情：超节点架构对VPD的极度依赖
受制于外部技术封锁，中国算力产业链在先进制程上存在客观瓶颈，因此国产算力必然走向“以面积换性能、以集群换单卡”的超节点道路。例如，华为推出的CloudMatrix 384超节点系统，以及计划于2025年第四季度推出的支持8192张加速卡全互联的Atlas 950 SuperPod，均是通过系统级架构弥补单卡算力的不足。阿里展出的128卡AI超节点服务器“盘九”，其单柜最大功耗已高达350千瓦。
这种“大力出奇迹”的超节点架构，使得整个机柜和数据中心的功耗急剧膨胀。在如此庞大的集群中，任何微小的单卡供电损耗都会被放大数万倍。因此，VPD技术是国产算力超节点方案能够真正落地、实现商业化运营的绝对前提。华为发布的韬（τ）定律更是明确指出，通过逻辑折叠与3D堆叠实现性能突破，重塑了芯片设计及供电范式，进一步确立了VPD在国产算力中的核心地位。
VPD技术是国产算力超节点方案能够真正落地、实现商业化运营的绝对前提
缺货涨价大周期即将传导到VPD（从铜箔到PCB到MLCC到DrMOS到VPD）以及相关梳理
AI服务器及高性能计算领域的传导顺序通常是：材料（电子布/铜箔/CCL）→功能化电源PCB（HDI/埋嵌）→电感/MLCC→DrMOS/功率级→VPD模组ASP与交期全面抬升；时间窗从2026年下半年开启，贯穿2027年。
目前已经传导到DrMOS，预计很快将传导到VPD
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