周末数据显示DDR5内存价格下跌，美商海盗船内存条在亚马逊大幅降价，近期现货价格回调主要因即使经过第二季度价格上涨后仍存在高溢价。例如，华强北64GBDDR5现货价约2500美元，几乎是美光/三星2026年第二季度合约价1250-1500美元的两倍。同样，eSSD现货市场接近0.5美元/GB，而合约价接近0.3美元/GB。渠道库存及投机仓位清仓引发价格下跌，但预计现货价格将在强劲合约价下逐步稳定。
技术替代担忧：
摩根士丹利中国团队报告指出，闪存（NAND）厂商正在推出解决方案以减少系统对DRAM的依赖（例如朗科的存储处理单元SPU），因为DRAM成本远高于NAND。这引发了对DRAM长期需求的担忧。市场情绪在过去几周已开始从DRAM转向更看好NAND。
三星电子是NAND市场的全球绝对龙头，长期市占率40%，技术领先，率先量产200层3D NAND，引领V-NAND技术发展；SK海力士是HBM内存领导者。所以3月31日SK海力士回调幅度也高于三星电子。
AI是DRAM关键驱动因素：
预计纯AI服务器需求（HBM及近GPU的DRAM）将于2026年占总DRAM需求的约37%，并于2027年增长74%、2028年增长90%，主要受平台转型驱动，如英伟达RubinUltra转向1TBHBM、更高CPULPDDR容量及谷歌激进出货计划。仅AI需求即可驱动超过40%的晶圆等效需求增量，远超技术迁移带来的约15%年供给增长。因此，新产能增加可能使2028年内存资本支出接近2000亿美元，且仍未考虑晶圆产出时滞及强劲通用服务器需求。
估值快速消化：
在新LTA条款下，价格将随市场条件波动，但设定floorprice以确保最低定价。值得注意的是，2027年floorprice较2Q26DRAM定价超过25%，而2028年LTA（如三星与谷歌协议）显示进一步同比上涨。更重要的是，这些LTA承诺度更高，前期付款达数十亿美元。得益于这些协议，当前盈利能力可延续至2028年。以美光（MUUSBuy）为例，预计FY2028BVPS可超过300美元，当前估值约1.3倍市净率。内存交易短期焦点仍是DRAM价格，但长期投资者将转向盈利可持续性。
DDR4周期已见顶：
与DDR5形成对比，DDR4周期已见顶。从需求端来看，DDR4价格仍高于第二季度后的DDR5，这持续激励客户加速向DDR5平台迁移。
从供给端来看，DDR4EOL时间表已被延长：
1）本土DRAM制造商不会EOLDDR4，并将通过技术迁移额外提升DDR4供给20%；
2）三星及SK海力士（000660KSBuy）亦将DDR4EOL时间表推迟至4Q26。预计DDR4合同价将于2Q26上涨15-20%，远低于DDR5的50-60%涨幅，并预计3Q26定价将面临较大压力。
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