，部分进度有望提前半年；依托自有 12 万吨三氯氢硅一体化原料配套，提纯路线成本、纯度具备优势。
规划产能：10000 吨 / 年 6N 光纤级高纯四氯化硅（光纤光缆上游）5000 吨 / 年 9N 电子级 TEOS 正硅酸乙酯（功率半导体上游）二、光纤光缆上游：6N 高纯四氯化硅1. 产品定位与产业链6N 级四氯化硅是光纤预制棒核心原料，用于 VAD/OVD 工艺制备石英砣、包层石英棒，单吨预制棒消耗 5-7 吨高纯四氯化硅，占光棒生产成本 30% 以上。
传导链路：高纯四氯化硅→石英砣→光纤预制棒→光纤拉丝→光缆2. AI 算力拉动需求逻辑AI 智算中心、数据中心大规模铺设高速 G.657、超低损耗光纤，国内长飞、亨通、中天、烽火等头部光棒厂持续扩产，光纤级高纯四氯化硅供需偏紧、价格上行。3. 产品边界说明公司仅规划6N 光纤级四氯化硅，用于光纤包层；9N 超高纯四氯化硅用于超低损耗光纤芯棒，暂无对应产能，该规格仍高度依赖海外瓦克、信越。三、功率半导体上游：9N 电子级 TEOS + 复用高纯四氯化硅1. 9N TEOS（正硅酸乙酯，算力功率芯片核心卡脖子前驱体）用途：8/12 寸功率晶圆 CVD 工艺，沉积栅氧化层、层间绝缘二氧化硅薄膜；适配 AI 服务器高压超结 MOS、IGBT、SiC 功率器件制造，高压芯片对原料纯度、杂质控制要求极高。国产替代逻辑：高端 9N TEOS 长期被日本信越、东京应化垄断，是功率 IDM（士兰微、华润微、斯达半导）制造刚需耗材，国产供给缺口大。2. 高纯四氯化硅半导体复用场景6N 高纯四氯化硅除光纤外，同步供给半导体环节：8/12 寸硅外延片硅源，用于 IGBT 重掺外延、高压 MOS 基底（上游配套沪硅产业、立昂微等硅片企业）；制备半导体高纯石英舟、外延炉隔热件；氮化硅陶瓷基板前驱原料（SiC 功率模块散热基板上游）。四、算力双赛道共振逻辑（光纤 + 功率半导体同时受益 AI 扩张）光通信侧：AI 集群海量高速光纤铺设，拉动 6N 四氯化硅采购；功率半导体侧：800V HVDC 算力服务器普及，高压 MOS、SiC 器件扩产，带动 9N TEOS、电子级四氯化硅需求；
公司一套提纯平台同时覆盖两大算力高景气上游赛道，是稀缺双线布局标的。
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