【近期反弹细分赛道组合】按优先级排序
（1）高阶AI PCB链PCB：广合科技、深南电路、沪电股份、鹏鼎控股、方正科技、中富电路CCL+玻布等：生益科技、华正新材、南亚新材、中国巨石、莱特光电、中材科技钻针：鼎泰高科、民爆光电、新锐股份铜箔（必须有HLPV4）：德福股份、铜冠铜箔PCB上游缺口设备：泰坦股份（织机）、合锻智能（层压）、大族数控（钻孔）
（2）光模块与算力国产链光模块以及关键材料上游：九州一轨（金刚石单晶）、云南锗业、兴福电子（磷化铟衬底核心原料高纯红磷）算力国产链：鸿日达、兴森科技、斯迪克、杰华特、华勤技术、鸿富瀚
（3）其他国产化替代门槛细分赛道果链转型AI算力供应链：领益智造、蓝思科技、工业富联AI关键上游材料：路维光电（掩膜版）、天通股份（铌酸锂晶体）、天承科技先进封装：盛合晶微、通富微电、汇成股份、颀中科技、伟测科技
二、【华福计算机】AIDC电源液冷更新：重视NV Rubin催化及谷歌TPU V8/V9进展 260809
# 核心催化： 英伟达Vera Rubin预计Q3起出货(1000-2000台)、Q4爬坡(至少3000-5000台或更多)；谷歌TPU V8预计下半年尤其9–10月有望开始交付。
# NV节奏： Rubin Q3偏首发与小批量交机（向上游拉货备料→CSP试装验证），8–9月向CSP集中交机；Q4稼动与出货抬升。
# 谷歌节奏： TPU V8（训练8t/推理8i）产业预期H2、重点看9–10月集中向下游交付；v9预计明年放量。
[太阳] 建议重点关注电源液冷核心标的，其中：# 1)电源（PSU功率升级&下一代标准方案落地催化）首推麦格米特(确定性最强），关注欧陆通、奥海科技等；
# 2)液冷首推英维克、大元泵业、鼎通科技(光模块液冷），关注冰轮环境、金富科技、奕东电子、飞龙股份、银轮股份等。
[玫瑰] 如需交流，欢迎联系李乐群/钱劲宇
三、AIDC：北美电力成硬约束，聚焦电源升级与SOFC-260810
据The Information 8月7日报道，英伟达斥资20亿美元战略投资Lancium，并承诺追加10亿美元，持股占比最高达30%，对应企业估值约100亿美元。此举标志着算力巨头已将电力供给视为核心战略资源。
当前北美数据中心建设呈现算力超前、电力滞后的结构性错配，电力供给已成AIDC扩张的第一短板。在北美云厂Capex维持高位的背景下，供电能力直接决定算力交付进度。我们认为，数据中心配套基础设施的高景气具备极强确定性，建议紧密跟踪订单兑现节奏。
1、电源系统：架构升级加速。Rubin预计于26Q3启动小批量交付，驱动高压直流架构迭代。台达预计±400V/800V产品将于Q3量产，2027年迎来放量。重点：柜内【麦米】【欧陆通】【奥海】；柜外【中恒】【盛弘】【科士达】；核心元器件【宏发】【中熔】【良信】【法拉】。
2、电网设备：供需紧平衡延续。电力缺口倒逼电网扩容，北美变压器及配电设备供需格局偏紧，景气度有望外溢至上游供应链。【思源】【金盘】【伊戈尔】【安靠】【白云】。
3、SOFC：快速响应构建差异化优势。凭借极速启停特性完美适配数据中心备电需求。重点关注美股Bloom Energy及BE链【壹连】【三环】等。
四、【zx新材料】重视磷化铟：AI光通信上游最紧缺材料之一，涨价周期或才刚开始。
⭕随着800G/1.6T/3.2T 高速光模块渗透率持续提升，单台光模块磷化铟衬底消耗量成倍增长，全球磷化铟需求迎来爆发。AXT磷化铟收入已创历史新高周五股价大涨，并通过超6亿美元融资大举扩充InP产能，且公告与Lumentum签订长期供货及产能预留协议，协议期限至2031年底。即便如此，考虑到长晶炉、工艺、良率、原料等诸多壁垒未来几年内供需缺口依旧严重失衡。
⭕价格上AXT在2026Q1明确表示正在上调InP产品价格、Q2 GAAP毛利率已经从Q1的29.6%跃升至 44.9%，涨价趋势才刚刚开始。且3英寸衬底即使价格翻倍至万元级，对800G/1.6T光模块总价值量影响仍处低个位数百分比；而合格InP直接决定EML/CW激光器能否交付，价值占比低+不可或缺+合格供应商少+切换成本高，价格弹性天花板极高。
⭕在此趋势下我们看好布局磷化铟多晶、切片和铟的兴发集团，高纯电子级红磷国产替代的兴福电子，以及依托成熟砷化镓产业基础、自研VGF长晶炉及较高掺铁良率实现InP衬底快速扩产的海川智能。
五、【东吴电子陈海进】持续强先进封装板块——Chiplet不是简单“切芯片”，而是重构SoC的制造方式
📢 AI芯片由单颗大SoC逐步走向多Chiplet异构集成。
随着GPU、ASIC的计算规模持续扩大，单颗大芯片面临面积、良率、成本及光罩尺寸等约束。芯片厂商开始将计算、缓存、I/O及其他功能拆分为不同Chiplet，再通过先进封装形成完整系统。
💡 Chiplet到底是什么？
传统SoC将计算、存储控制、I/O等功能集中在同一颗芯片上，所有模块往往需要共同采用同一制程；Chiplet则将SoC拆分为多个相对独立的小芯片，计算模块可以采用先进制程，I/O、模拟及接口模块则可使用更成熟、成本更低的制程。
Chiplet的难点不在于“拆”，而在于“重新连接”。不同小芯片之间需要实现高带宽、低延迟互联，还要统一接口、供电、散热和测试标准。UCIe通过定义封装内Die-to-Die互联，为不同来源Chiplet之间的兼容与组合提供标准化基础，但最终量产仍离不开2.5D/3D封装、中介层和高密度RDL。
🔥 先进封装为什么成为Chiplet的必选项？
芯片拆分后，原本位于芯片内部的连接需要转移至封装内部完成。如果封装互联速度不足，Chiplet带来的性能优势就会被通信延迟和功耗抵消。因此，先进封装实际上承担了原本由单颗SoC完成的部分系统集成功能。
📈 产业趋势：Chiplet推动Fab、设计厂和OSAT由串联分工走向联合开发。
未来芯片设计阶段需要同步考虑制程选择、Chiplet划分、封装结构、接口标准和测试方案。产业价值也将由单纯的晶圆制造，扩展至中介层设计、封装协同、已知良品筛选及系统级测试，具备设计服务和规模量产能力的封测厂有望提升客户黏性。
📕 相关标的：
先进封装osat——#通富微电
#长电科技
#甬矽电子
#盛合晶微
#汇成股份
RDL层——#芯碁微装
晶圆减薄/切割 —— #华海清科
⚠️风险提示：Chiplet产业化进度不及预期；接口标准及生态建设不及预期；先进封装良率爬坡缓慢。
🎁欢迎联系东吴电子：陈海进/刘玥娇
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