根据9月2日材料行业消息人士透露，台积电已要求其材料和设备合作伙伴开发适用于约5微米（μm）级凸点的键合和底部填充解决方案。换言之，台积电希望目前用于先进封装的微凸点变得更短、更精细。韩国和日本供应商已开始开发，预计5μm级凸点将于2028年下半年启动量产。
台积电明确要求开发5μm级凸点，且预计持续使用至HBM4后期甚至HBM5早期。SK海力士也确认HBM4/4E继续用MR-MUF（微凸点），混合键合推迟到HBM5（20层以上）。
JEDEC把高度上限放宽到775μm，给了微凸点“喘息空间”。在5μm尺度下，直接上混合键合成本太高、良率难控，继续压榨微凸点+底部填充（Underfill）的潜力是当下最理性的商业选择。
从“做凸点”变成“填缝隙”消息明确指出，“关键难点不在于凸点本身，而是开发能够可靠支持并认证它的底部填充解决方案”。
15μm以下难以保证质量，5μm更是远低于当前认证门槛。在5μm尺度下，必须解决“无空洞底部填充、残留助焊剂以及键合对准”三大难题。
华海诚科（
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