海特高新，国内唯一能量产 6 英寸磷化铟（InP）外延片

这才是真正的高新！

成都海威华芯：

海威华芯成立于2010年，位于成都市双流区，是国内较早提供6吋砷化镓和6吋氮化镓纯晶圆制造（Foundry）服务的芯片制造企业。海威华芯投资21亿元，于2015年在中国建成了6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路芯片军民两用商业化生产线。2021年成功完成第三轮融资近20亿元，新的融资将持续用于开展化合物半导体芯片技术能力的突破及产能的提升，使海威华芯的技术能力持续保持领先，为行业内客户提供更为优质的服务。

公司规划用地225亩，拥有成熟的化合物半导体生产加工设备1200余台套，均为量产型机台，性能稳定、生产效率高、加工精度高。海威华芯建立了完整的技术团队，聚集多名国际知名咨询专家，国际大厂的生产制造人才，国内外知名院校的博士、博士后，人才梯队完整。

海威华芯是面向国内外提供6吋砷化镓/氮化镓半导体集成电路晶圆制造（Foundry）的芯片制造企业，其"6吋GaAs/GaN生产线"是半导体产业链不可或缺的重要环节，已达到业内先进水平。目前，公司在化合物半导体制造领域已取得较为突出的成果，成为国内知名的化合物半导体制造企业之一，其开发的第二/三代化合物半导体制程，实现了多项技术国内第一，大尺寸碳化硅基氮化镓晶圆制造技术甚至达到亚洲领先的水平。

公司主要制程产品包括：6吋砷化镓0.15μm、 0.25μm pHEMT制程，6吋GaN 0.15um、0.25um 、0.5um制程，SiC SBD制程，SiC MOSFET制程，光电VCSEL、LD、PD芯片制程等，能够满足客户在射频、电力电子、光通讯、激光3D感知等芯片领域的流片服务需求。

定位：国内唯一 6 英寸 InP 全流程量产平台（外延 + 晶圆代工）产品：6 英寸磷化铟外延片、InP 基光芯片代工（EML 激光器、PD 探测器等）技术：
良率：>60%（国内领先）
电子迁移率：1.1×10⁴ cm²/V·s，支持 **100GHz+** 高频
产能：
MOCVD 设备：20–25 台（InP 专用）
年产能：5000 片 +（2024），2026 年订单已满

客户：华为海思、中际旭创、光迅科技、新易盛等，供应800G/1.6T/3.2T 光模块核心光芯片

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