长鑫存储计划于年底前量产下一代4F² DRAM，较三星的计划提前两年，受此影响费城半导体指数（SOX）下跌3.2%。众所周知，在DRAM领域韩国存储技术领先中国2-3年，在HBM领域领先3年以上，但此次技术突破足以敲响警钟，对拥有服务器DRAM敞口的企业而言尤甚。桑吉夫（Sanjeev）认为这一事件意义重大，因为这很可能是转向3D DRAM之前最后一次重大制程缩放迭代。三星/海力士计划在转向3D DRAM之前，将4F²与垂直沟道晶体管技术应用于10nm以下DRAM世代。长鑫存储近期取得的成果确实值得关注，当前存储类股已在定价来自长鑫存储的竞争。在中小市值（SMIDCAP）科技板块中，哈里（Harry）认为 Eugene Tech 是唯一直接受益于未来4F²技术迭代的标的，同时还将额外受益于中国存储产业国产化进程。AI 半导体（基石观点核心：韩国正搭建代理式AI架构）
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