存储史诗级革命:以钼代钨引爆超级主线

2026-06-12 12:45:242


#0612存储史诗级革命:以钼代钨引爆超级主线,韩厂千亿扩产共振!

#SK海力士官宣375层3DNAND量产验证落地,年底投产,核心颠覆——以钼代钨,终结钨13年垄断;三星286层已用钼、400层+下半年落地,存储材料革命+韩厂千亿扩产,A股钼材料链迎戴维斯双击。

#行业剧变(以钼代钨+韩厂扩产)

技术革命(以钼代钨):300层+NAND钨电阻爆表、需TiN阻挡层挤占空间;钼电阻率低30%-40%、无需阻挡层、降本30%+、良率至95%,400层以上唯一方案。

#产能狂潮(韩厂扩产):SK海力士千亿级投入扩产HBM/3DNAND;三星投828亿美元加码先进制程,全球存储进入“烧钱扩产+钼替代”爆发期。

核心受益

新莱福:广州金南磁性材料有限公司现有业务本项目高性能软磁材料产品产品类别包括铁镍钼粉体。

隆华科技:旗下四丰电子是国内钼靶材核心供应商,高纯钼旋转靶材技术国内领先,产品已进入面板及半导体领域,直接受益钼靶材需求增长。

金钼股份:A股钼资源龙头,钼精矿产量仍有成长;#目前钼粉产量5000吨(25年口径)。

盛龙股份:钼资源新贵,钼矿产量亦有增长。

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标签: 半导体

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